未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET



модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

MOSFET

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
175A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 ДО-220С 80В 175А Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
12A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 ТО-252Б 60В 12А Специфікація пристрою D12N06 (TO-252B).pdf
240A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS020N88U пакет TOLL DHS020N88U ПЛАТА 85В 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
170A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P ДФН5*6-8 40В 170А Специфікація пристрою DHS020N04P Rev.2.0.pdf
4A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 ТО-220Ф 650В 4А 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
15A 40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 ТО-252Б -40В -30А Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
4A 700 В N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 ТО-220Ф 700В 4А 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
7A 600V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F7N60 F7N60 ТО-220Ф 600В 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
205A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E ТО-263 85В 205A Специфікація пристрою DHS025N88.pdf
7A 800V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 ТО-220Ф 800В 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
80A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D ТО-252Б 40В 80А Специфікація пристрою DH065N04.pdf
2A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 ТО-252Б 650В 2А 英文版D2N65技术规格书.pdf
2A 600V N-channe Enhancement Mode Power MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 ТО-220Ф 600В 2А
180A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A ТО-252Б 85В 180А Пристрій+DSD040N08N3A+Специфікація+Ред.1.0.pdf
5A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 ТО-252Б 500В 5А Специфікація пристрою D5N50&B5N50.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R ДО-220С 100В 120А Специфікація пристрою DH10H035R.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
5A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 ТО-251Б 500В 5А Специфікація пристрою D5N50&B5N50.pdf
220A 20V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P ДФН5*6-8 20В 220А Специфікація пристрою DH009N02P.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN ДСН108Н20Н ТО-3ПН 200В 110А Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf

Відео продукту



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com