未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET



Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

MOSFET

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
12A 60V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12A Seadme D12N06 spetsifikatsioon(TO-252B).pdf
175A 80V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 KUNI -220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
240A 85V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS020N88U TOLL pakett DHS020N88U TOLL 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
4A 650 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
170A 40V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Seadme DHS020N04P spetsifikatsioon Rev.2.0.pdf
4A 700 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
15A 40V P-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40 V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
7A 600 V N-kanali täiustusrežiim Toide MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
205A 85V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Seadme DHS025N88 spetsifikatsioon.pdf
7A 800 V N-kanaliga laiendusrežiimi toide MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
2A 650 V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
80A 40V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Seadme DH065N04 spetsifikatsioon.pdf
2A 600 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600V 2A
180A 85V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Seade+DSD040N08N3A+Spetsifikatsioon+Rev.1.0.pdf
5A 500 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500V 5A Seadme D5N50&B5N50 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R KUNI -220C 100V 120A Seadme DH10H035R spetsifikatsioon.pdf
220A 20V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Seadme DH009N02P spetsifikatsioon.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
5A 500 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A Seadme D5N50&B5N50 spetsifikatsioon.pdf
320A 20V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET DH009N02U

Tootevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com