未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
DH030N03
840/F840/I840/E840/B840/D840
4A 800 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy D4N80 TO-252B D4N80 TO-252B 800 V 4A 英文版D4N80技术规格书.pdf
10N60/F10N60/E10N60
100A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30 V 100A Specyfikacja urządzenia DHP150N03(1).pdf
DHD10N65
740/F740/I740/E740/B740/D740
10N65/F10N65/I10N65
7N60/F7N60/I7N60/E7N60/B7N60/D7N60
12N65/F12N65
120A 98V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98 V 120A Specyfikacja urządzenia DH90N045RSM2.pdf
8N60/F8N60
5N50/F5N50/B5N50/D5N50
23N50D
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200 V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
10A 30V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30 V 10A Specyfikacja urządzenia DH160P03V Rev.1.0.pdf
220A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220A Urządzenie DTE025N04NA i DTG025N04NA Specyfikacja Rev.1.0.pdf
8N65/F8N65
13A 900 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 13N90 TO-3PN 13N90 TO-3PN 900 V 13A 英文版13N90技术规格书.pdf
4N60/F4N60/B4N60/D4N60

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com