未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
DH030N03
10N60/F10N60/E10N60
4A 800V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D4N80 TO-252B D4N80 TO-252B 800 V 4A 英文版D4N80技术规格书.pdf
840/F840/I840/ E840/B840/D840
100A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30V 100A Špecifikácia zariadenia DHP150N03(1).pdf
DHD10N65
7N60/F7N60/I7N60/ E7N60/B7N60/D7N60
10N65/F10N65/I10N65
740/F740/I740/ E740/B740/D740
120A 98V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98 V 120A Zariadenie DH90N045RSM2 Špecifikácia.pdf
8N60/F8N60
12N65/F12N65
5N50/F5N50/B5N50/D5N50
23N50D
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
10A 30V P-kanál v režime vylepšenia napájania MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30V 10A Špecifikácia zariadenia DH160P03V Rev.1.0.pdf
13A 900V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 13N90 TO-3PN 13N90 TO-3PN 900 V 13A 英文版13N90技术规格书.pdf
8N65/F8N65
220A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220A Špecifikácia zariadenia DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produkte



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com