ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET



модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

MOSFET

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
DH030N03
10N60/F10N60/E10N60
840/F840/I840/ E840/B840/D840
4A 800 В N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D4N80 TO-252B D4N80 ТО-252Б 800В 4А 英文版D4N80技术规格书.pdf
100A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30В 100А Специфікація пристрою DHP150N03(1).pdf
DHD10N65
740/F740/I740/ E740/B740/D740
10N65/F10N65/I10N65
7N60/F7N60/I7N60/ E7N60/B7N60/D7N60
12N65/F12N65
8N60/F8N60
120A 98V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R ТО-220С 98В 120А Специфікація пристрою DH90N045RSM2.pdf
5N50/F5N50/B5N50/D5N50
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA ТО-220С 200В 110А Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
23N50D
10A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V СОП-8 30В 10А Специфікація пристрою DH160P03V Rev.1.0.pdf
8N65/F8N65
13A 900V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 13N90 TO-3PN 13N90 ТО-3ПН 900В 13А 英文版13N90技术规格书.pdf
220A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA ТО-263 40В 220А Специфікація пристрою DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
4N60/F4N60/B4N60/D4N60

Відео продукту



  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку