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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET

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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 40 A 100 V DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100 V 40A Specifiche del dispositivo DH100P40.pdf
-10A -40V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V -10A Dispositivo+DH170P04V+Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 59 A 100 V 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59A Specifiche del dispositivo 60N10B76(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 30 V DH012N03P DFN5 * 6 DH012N03P DFN5X6 30 V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 80 V DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80 V 180A Dispositivo DH029N08 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 68 V DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Specifiche del dispositivo DH3205A.pdf
MOSFET di potenza DHS055N07 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 105 A 68 V DHS055N07 TO-220C 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Scheda dati+V2.0 .pdf
 MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N98-Rev.1.0.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop G50T65D TO-3PN da 50 A 650 V G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 68 V DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 145 A 30 V DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V 145A Dispositivo DH028N03 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHS042N15E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 150 A 150 V DHS042N15E TO-263 150 V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 70 V DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70 V 100A Donghai_DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
MOSFET di potenza F4N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 4 A 600 V F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
 Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
MOSFET di potenza F5N80 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 5 A 800 V F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS110N15D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 85 A 150 V DHS110N15D TO-252B 150 V 85A Specifiche del dispositivo DHS110N15D.pdf
40 V/5,5 mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40 V 82A Donghai_DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
40 V/4,0 mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40 V 66A Donghai_DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
 DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100 V 103A Donghai_DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

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