未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

MOSFET

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
40A 100V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100V 40A Specifikace zařízení DH100P40.pdf
100A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Specifikace zařízení DH3205A.pdf
100A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
59A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100V 59A Specifikace zařízení 60N10B76(1).pdf
-10A -40V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40V -10A Zařízení+DH170P04V+Specifikace.pdf
180A 80V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80V 180A Specifikace zařízení DH029N08.pdf
105A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 TO-220C 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Datový list+V2.0 .pdf
Výkonový MOSFET 180A 68V N-channel Enhancement Mode DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98V 120A Specifikace zařízení DHS045N98-Rev.1.0.pdf
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
4A 600V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
150A 150V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
145A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Specifikace zařízení DH028N03.pdf
100A 70V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70V 100A Donghai_DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
85A 150V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A Specifikace zařízení DHS110N15D.pdf
5A 800V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82A Donghai_DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
81A 80V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80V 81A Specifikace zařízení DH060N08.pdf
40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40V 66A Donghai_DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com