未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET



Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

MOSFET

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
220A 20V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Laitteen DH009N02P Specification.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
320A 20V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH009N02U
18N50/F18N50/18N50D
180A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Laite+DSD040N08N3A+Specification+Rev.1.0.pdf
2A 600V N-kanavan parannustilan teho MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600V 2A
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R -220C 100V 120A Laitteen DH10H035R Specification.pdf
5A 500 V N-kanavainen lisätila teho MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500V 5A Laitteen D5N50&B5N50 tekniset tiedot.pdf
310A 20V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 -220C 20V 310A Laite DH009N02 Specification.pdf
5A 500 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A Laitteen D5N50&B5N50 tekniset tiedot.pdf
18A 500V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 -220C 500V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
60A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Laite DH081N03 Specification.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
30A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Laitteen DH081N03R Specification.pdf
320A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Laite DH012N03 Specification.pdf
4A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Laitteen DHS020N04D Specification.pdf
100A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 -220C 85V 100A Laite DH85N08 Specification.pdf
320A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 -220C 30V 320A Laite DH012N03 Specification.pdf
8A 500 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500V 8A

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com