8A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F8N65 TO-220F

8A 650 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus

Nämä N-kanavaiset parannetut vdmosfetit on saatu itsekohdistetun tasomaisen tekniikan avulla, joka vähentää johtavuushäviöitä, parantaa kytkentäsuorituskykyä ja lisää lumivyöryenergiaa. Joka on RoHS-standardin mukainen. TO-220F tarjoaa eristysjännitteen 2000 V RMS kaikista kolmesta liittimestä ulkoiseen jäähdytyselementtiin. TO-220F-sarja noudattaa UL-standardeja (tiedoston viite:E252906).

2 Ominaisuudet

● Nopea vaihto 

● Parannettu ESD-ominaisuus

● Pieni resistanssi (Rdson≤1,4Ω) 

● Matala portin lataus (Tyyppi: 23,7 nC) 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit (tyyppi: 6,1 pF) 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS -testi 

3 Sovellukset 

● Käytetään erilaisissa tehonkytkentäpiireissä järjestelmän pienentämiseksi ja tehokkuuden parantamiseksi. 

● Elektroniliitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkinpiiri.

VDSS	RDS (päällä) (TYP)	ID
650V	1,15Ω	8A