Transistor bipolar de puerta aislada 60A 650V G60T65D TO-3PN

Transistor bipolar de puerta aislada 60A 650V

1 Características 

Utilizando el diseño Planar patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimientos de conmutación y conducción superiores, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo. 

2 características: 

 Tecnología de trinchera FS, coeficiente de temperatura positivo 

 Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 1,85 V @ IC = 60 A y TC = 25 °C 

 Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 

3 aplicaciones: 

aire acondicionado

Soldadura

Unión Postal Universal

Vces	Paquete	Ic(Tj=100℃)
650V	A-3PN	60A