Transistor bipolare con gate isolato 60A 650V G60T65D TO-3PN

Transistor bipolare con gate isolato 60A 650V

1 Caratteristiche 

Utilizzando il design planare proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di conduzione e commutazione superiori, elevata robustezza a valanga e facile funzionamento in parallelo. 

2 Caratteristiche: 

 Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo 

 Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 1,85 V @ IC = 60 A e TC = 25°C 

 Capacità valanghe estremamente migliorata 

3 applicazioni: 

Aria condizionata

Saldatura

UPS

Vces	Pacchetto	Ic(Tj=100℃)
650 V	TO-3PN	60A