未命名 (1) (8) (1)
geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev »» Ürünler » IGBT » 600V-650V » 60A 650V Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör G60T65D TO-3PN

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
Sharethis Paylaşım Düğmesi

60A 650V Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör G60T65D TO-3PN

Donghai'nin tescilli düzlemsel tasarımı ve gelişmiş FS teknolojisini kullanan 650V FS IGBT, üstün iletim ve anahtarlama performansları, yüksek çığ sağlamlığı ve kolay paralel çalışma sunuyor.
Kullanılabilirlik:
Miktar:
Sormak Sepete EkGBT modüllerinin sıcaklığını kabul edilebilir sınırlar içinde korumak için kritiktir. Soğutma sistemleri aktif ve pasif soğutma çözümlerine geniş ölçüde kategorize edilebilir.

60A 650V Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör


1 Özellik 

Donghai'nin tescilli düzlemsel tasarımı ve gelişmiş FS teknolojisini kullanan 650V FS IGBT, üstün iletim ve anahtarlama performansları, yüksek çığ sağlamlığı ve kolay paralel çalışma sunuyor. 


2 Özellik ： 

 FS hendek teknolojisi, pozitif sıcaklık katsayısı 

 Düşük doygunluk voltajı: VCE (SAT), tip = 1.85V @ IC = 60A ve TC = 25 ° C 

 Son derece gelişmiş çığ yeteneği 


3 Uygulama ： 

Klima

Kaynak

GÜÇ KAYNAĞI

VCS Paketi IC (TJ = 100 ℃)
650V 3pn'ye 60a 


Öncesi: 
Sonraki: 
IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun
    Göndermek
Telif Hakkı © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology tarafından Leadong.com