60A 650V оқшауланған Gate Bepolar Transistor G60T65D-3PN

60A 650V оқшауланған қақпа Биполярлы транзистор

1 мүмкіндіктер 

Донхайдың меншікті жоспарының дизайнын және жетілдірілген FS технологиясын қолдана отырып, 650В FS IGBT жоғары деңгейлі қойылымдар мен ауыстырып-қосқыштарды, жоғары қар көшкін және оңай параллель жұмыс ұсынады. 

2 ерекшеліктері: 

 FS траншеясы технологиясы, оң температура коэффициенті 

 Төмен қанықтылықпен кернеу: VCE (SAT), TYP = 1.85V @ ic = 60a және tc = 25 ° C 

 Өте жетілдірілген көшкіннің мүмкіндігі 

3 қосымшалар: 

Банкка

Дәнекерлеу

Юнайтед Пансел Сервис

Қабық	Жіберілген жүк	IC (TJ = 100 ℃)
650в	-3pn дейін	60а