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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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60A 650V Cancello isolato Transistor bipolare G60T65D TO-3pn

Utilizzando la progettazione planare proprietaria di Donghai e la tecnologia FS avanzata, la FS IGBT 650V offre prestazioni di conduzione e commutazione superiori, alta valanga e funzionamento parallelo.
Disponibilità:
quantità:

Transistor bipolare a gate isolato 650A 650V


1 caratteristiche 

Utilizzando la progettazione planare proprietaria di Donghai e la tecnologia FS avanzata, la FS IGBT 650V offre prestazioni di conduzione e commutazione superiori, alta valanga e funzionamento parallelo. 


2 caratteristiche : 

 Tecnologia della trincea FS, coefficiente di temperatura positivo 

 Tensione di saturazione bassa: VCE (SAT), tip = 1,85 V @ IC = 60A e TC = 25 ° C 

 Capacità di valanga estremamente migliorata 


3 applicazioni : 

CONCONDIZIONE

Saldatura

UPS

VCE Pacchetto IC (TJ = 100 ℃)
650v To-3pn 60a 


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