geçit
Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » IGBT » 600V-650V » 60A 650V Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör G60T65D TO-3PN

yükleniyor

Şurada paylaş:
facebook paylaşım butonu
twitter paylaşım butonu
hat paylaşma butonu
wechat paylaşım düğmesi
linkedin paylaşım butonu
ilgi alanı paylaşma düğmesi
whatsapp paylaşım butonu
bu paylaşım düğmesini paylaş

60A 650V Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör G60T65D TO-3PN

DongHai'nin tescilli Planar tasarımını ve gelişmiş FS teknolojisini kullanan 650V FS IGBT, üstün iletim ve anahtarlama performansları, çığa karşı yüksek dayanıklılık ve kolay paralel çalışma sunar.
Stok Durumu:
Adet:

60A 650V Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör


1 Özellikler 

DongHai'nin tescilli Planar tasarımını ve gelişmiş FS teknolojisini kullanan 650V FS IGBT, üstün iletim ve anahtarlama performansları, çığa karşı yüksek dayanıklılık ve kolay paralel çalışma sunar. 


2 Özellikler: 

 FS Hendek Teknolojisi, Pozitif sıcaklık katsayısı 

 Düşük doyma voltajı: VCE(sat), tip = 1,85V @ IC =60A ve TC = 25°C 

 Son derece gelişmiş çığ yeteneği 


3 Uygulama: 

Klima

Kaynak

GÜÇ KAYNAĞI

Vces Paket IC(Tj=100°C)
650V TO-3PN 60A 


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • geleceğe hazırlanın
    güncellemeleri doğrudan gelen kutunuza almak için bültenimize kaydolun