60A 650V Bipolartransistor mit isoliertem Gate G60T65D TO-3PN

60 A 650 V Bipolartransistor mit isoliertem Gate

1 Funktionen 

Der 650-V-FS-IGBT nutzt das proprietäre Planar-Design und die fortschrittliche FS-Technologie von DongHai und bietet hervorragende Leitungs- und Schaltleistungen, hohe Avalanche-Robustheit und einfachen Parallelbetrieb. 

2 Funktionen: 

 FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient 

 Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat), typ. = 1,85 V bei IC = 60 A und TC = 25 °C 

 Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit 

3 Anwendungen: 

Klimaanlage

Schweißen

UPS

Vces	Paket	Ic(Tj=100℃)
650V	TO-3PN	60A