Біполярний транзистор з ізольованим затвором 60A 650V G60T65D TO-3PN

Біполярний транзистор з ізольованим затвором 60A 650V

1 Особливості 

Використовуючи власну планарну конструкцію DongHai і передову технологію FS, 650 В FS IGBT забезпечує чудові характеристики провідності та комутації, високу лавинну міцність і легку паралельну роботу. 

2 особливості: 

 Технологія траншей FS, позитивний температурний коефіцієнт 

 Низька напруга насичення: VCE (sat), typ = 1,85 В при IC = 60 A та TC = 25 °C 

 Надзвичайно покращена лавиноздатність 

3 програми: 

Кондиціонер

Зварювання

ДБЖ

Vces	Пакет	Ic (Tj=100 ℃)
650В	ТО-3ПН	60А