未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Narito ka: Bahay » Mga produkto » IGBT » 600V-650V » 60A 650V Insulated Gate Bipolar Transistor G60T65D TO-3PN

naglo-load

Ibahagi sa:
button sa pagbabahagi ng facebook
button sa pagbabahagi ng twitter
pindutan ng pagbabahagi ng linya
buton ng pagbabahagi ng wechat
button sa pagbabahagi ng linkedin
Pindutan ng pagbabahagi ng pinterest
pindutan ng pagbabahagi ng whatsapp
ibahagi ang button na ito sa pagbabahagi

60A 650V Insulated Gate Bipolar Transistor G60T65D TO-3PN

Gamit ang proprietary Planar na disenyo ng DongHai at advanced na teknolohiya ng FS, ang 650V FS IGBT ay nag-aalok ng superior conduction at switching performances, mataas na avalanche ruggedness at madaling parallel operation.
Availability:
Dami:
Magtanong Idagdag sa Basket

60A 650V Insulated Gate Bipolar Transistor


1 Mga Tampok 

Gamit ang proprietary Planar na disenyo ng DongHai at advanced na teknolohiya ng FS, ang 650V FS IGBT ay nag-aalok ng superior conduction at switching performances, mataas na avalanche ruggedness at madaling parallel operation. 


2 Mga Tampok: 

 FS Trench Technology, Positibong temperatura koepisyent 

 Mababang boltahe ng saturation: VCE(sat), typ = 1.85V @ IC =60A at TC = 25°C 

 Lubhang pinahusay na kakayahan ng avalanche 


3 Aplikasyon： 

Aircondition

Hinang

UPS

Vces Package Ic(Tj=100℃)
650V TO-3PN 60A 


Nakaraan: 
Susunod: 
IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mag-sign up para sa aming newsletter
  • maghanda para sa hinaharap
    na pag-sign up para sa aming newsletter upang makakuha ng mga update diretso sa iyong inbox
    Isumite
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknolohiya ni leadong.com