60А 650В биполярный транзистор с изолированным затвором G60T65D TO-3PN

Биполярный транзистор с изолированным затвором, 60 А, 650 В

1 Особенности 

Используя запатентованную конструкцию DongHai Planar и передовую технологию FS, IGBT FS 650 В обеспечивает превосходные характеристики проводимости и переключения, высокую лавинную устойчивость и простоту параллельной работы. 

2 особенности: 

 Технология FS Trench, положительный температурный коэффициент 

 Низкое напряжение насыщения: VCE(sat), тип. = 1,85 В при IC = 60 А и TC = 25°C 

 Чрезвычайно улучшенная лавинная способность 

3 приложения: 

Кондиционер

Сварка

UPS

Вчес	Упаковка	Ic(Tj=100℃)
650В	ТО-3ПН	60А