60A 650V transistor bipolar de porta isolada G60T65D TO-3PN

Transistor bipolar de porta isolada 60A 650V

1 Recursos 

Usando o design Planar proprietário da DongHai e a tecnologia FS avançada, o IGBT 650V FS oferece desempenho superior de condução e comutação, alta robustez em avalanches e fácil operação paralela. 

2 recursos: 

 Tecnologia FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

 Baixa tensão de saturação: VCE(sat), tipo = 1,85V @ IC =60A e TC = 25°C 

 Capacidade de avalanche extremamente aprimorada 

3 aplicações: 

Ar condicionado

Soldagem

UPS

Você	Pacote	Ic(Tj=100℃)
650 V	TO-3PN	60A