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Transistor bipolaire à porte isolée 60A 650V G60T65D TO-3PN

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Transistor bipolaire à porte isolée 60A 650V G60T65D TO-3PN

Utilisant la conception planaire exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de conduction et de commutation supérieures, une robustesse élevée aux avalanches et un fonctionnement parallèle facile.

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Modèle:
DHG60T65D
Marque:
WXDH
Emballer:
TO-3PN
Fiche de données:
Spécification de l'appareil DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
V :
650V
UN:
60A

Description du produit

Transistor bipolaire à porte isolée 60A 650V

1 Caractéristiques

Utilisant la conception planaire exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de conduction et de commutation supérieures, une robustesse élevée aux avalanches et un fonctionnement parallèle facile.

2 caractéristiques :

 Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif

 Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 1,85V @ IC =60A et TC = 25°C

 Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

3 applications :

Climatisation

Soudage

UPS

Vces	Emballer	IC(Tj=100℃)
650V	TO-3PN	60A

IGBT