未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V�/a> A ~!phoenix_var84_5!~ Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
220A 20V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Zariadenie DH009N02P Špecifikácia.pdf
320A 20V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH009N02U
18N50/F18N50/18N50D
180A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Zariadenie+DSD040N08N3A+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
2A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600 V 2A
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100 V 120A Zariadenie DH10H035R Špecifikácia.pdf
5A 500V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500 V 5A Špecifikácia zariadenia D5N50&B5N50.pdf
310A 20V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Zariadenie DH009N02 Špecifikácia.pdf
5A 500V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Špecifikácia zariadenia D5N50&B5N50.pdf
60A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Zariadenie DH081N03 Špecifikácia.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
18A 500V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
30A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Zariadenie DH081N03R Špecifikácia.pdf
4A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Zariadenie DH012N03 Špecifikácia.pdf
100A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85V 100A Zariadenie DH85N08 Špecifikácia.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Špecifikácia zariadenia DHS020N04D.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Zariadenie DH012N03 Špecifikácia.pdf
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf

Video o produkte



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com