未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
4A 800 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D4N80 TO-252B D4N80 TO-252B 800V 4A 英文版D4N80技术规格书.pdf
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100V 240A DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
116A 68V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH070N06 -220C 60V 88A Laitteen DH070N06 Specification(2).pdf
18A 200V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18A Laite D18N20 Specification Rev.1.0.pdf
120A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 -220C 85V 125A Laite+DSG048N08N3+Specification+Rev.1.0.pdf
10A 30V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30V 10A Laite DH160P03V Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
2A 600 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D2N60 TO-252B D2N60 TO-252B 600V 2A 英文版D2N60技术规格书.pdf
105A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+DataSheet+V2.0 .pdf
116A 68V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH070N07 -220C 70V 100A DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A TULLI DSU035N10N3A TOLL 100V 190A DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
85A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 -220C 80V 95A DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
180A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 -220C 100V 180A Laite+DHS035N10&DHS035N10E+Specification+Rev.1.0 (1).pdf
155A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 -220C 40V 155A Laite DH035N04 Specification.pdf
18A 650V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf
140A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Laite DHP035N04 Specification.pdf
14A 650V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 -220C 650V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
25A 100V N-kanavainen lisätila teho MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 -220C 30V 150A Laite DH025N03 Specification.pdf
0,8 A 600 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8A

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com