未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
175A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 -220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
205A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Laite DHS025N88 Specification.pdf
18A 500V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 -220C 500V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
5A 500 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A Laitteen D5N50&B5N50 tekniset tiedot.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
180A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Laite+DSD040N08N3A+Specification+Rev.1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Laitteen DHS020N04D Specification.pdf
4A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
105A 68V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
0,8 A 600 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8A
25A 100V N-kanavainen lisätila teho MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 -220C 30V 150A Laite DH025N03 Specification.pdf
140A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Laite DHP035N04 Specification.pdf
120A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Laite DH025N03P Specification(1)(1).pdf
60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
40A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
P-kanavan lisätilateho MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A
14A 650V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 -220C 650V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
155A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 -220C 40V 155A Laite DH035N04 Specification.pdf
18A 650V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com