未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
4A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D4N80 TO-252B D4N80 TO-252B 800V 4A 英文版D4N80技术规格书.pdf
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100V 240A DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
Výkonový MOSFET 116A 68V N-channel Enhancement Mode DH070N06 TO-220C 60V 88A Specifikace zařízení DH070N06(2).pdf
18A 200V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18A Specifikace zařízení D18N20 Rev.1.0.pdf
120A 85V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85V 125A Zařízení+DSG048N08N3+Specifikace+Rev.1.0.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
10A 30V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30V 10A Specifikace zařízení DH160P03V Rev.1.0.pdf
2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N60 TO-252B D2N60 TO-252B 600V 2A 英文版D2N60技术规格书.pdf
105A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+Datový list+V2.0 .pdf
100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL DSU035N10N3A MÝTNÉ 100V 190A DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Výkonový MOSFET 116A 68V N-channel Enhancement Mode DH070N07 TO-220C 70V 100A DH070N07(T0F)_Datový list_V1.0.pdf
180A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100V 180A Zařízení+DHS035N10&DHS035N10E+Specifikace+Rev.1.0 (1).pdf
85A 80V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80V 95A DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
155A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40V 155A Specifikace zařízení DH035N04.pdf
18A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf
140A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Specifikace zařízení DHP035N04.pdf
14A 650V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30V 150A Specifikace zařízení DH025N03.pdf
0,8A 600V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8A

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com