未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » » MOSFET » 12V-300V n mos » 120a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH065N06 TO-220C

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

120A 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH065N06 TO-220C

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal pokročilý trenční technologický design, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS.
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidejte do koše

120a 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Popis 

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal pokročilý trenční technologický design, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce 

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány 

● Rychlé přepínání

● nízký reverzní přenos kapacity 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace 

● Aplikace pro přepínání napájení 

● Systém správy střídače 

● Elektrické nástroje 

● Automobilová elektronika

VDSS RDS (on) (typ) Id
60V 5,2 mΩ 120a


Stáhnout Zařízení DH065N06 Specifikace Rev.2.0.pdf

Předchozí: 
Další: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com