未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 12V-300V N MOS » 120A 60V N-Kananned Enhancement Tryb Moc MOSFET DH065N06 TO-220C

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

120A 60 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH065N06 TO-220C

Te MOSFET MOSFETS Ulepszenia N-kanałów wykorzystywał zaawansowany projekt technologii wykopów, zapewniły doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs.
Dostępność:
Ilość:
Pytać się Dodaj do kosza

120A 60V N-Kananned Enhancement Tryb Power MOSFET


1 Opis 

Te MOSFET MOSFETS Ulepszenia N-kanałów wykorzystywał zaawansowany projekt technologii wykopów, zapewniły doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 


2 funkcje 

● Niskie opór 

● Niski ładunek bramki 

● Szybkie przełączanie

● Niskie pojemności transferu odwrotnego 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikacje 

● Aplikacje przełączające zasilanie 

● System zarządzania falownikiem 

● Narzędzia elektryczne 

● Elektronika samochodowa

VDSS RDS (ON) (Typ) ID
60 V. 5,2 mΩ 120a


pobierać Device DH065N06 Specyfikacja Rev.2.0.pdf

Poprzedni: 
Następny: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com