8A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F8N65 TO-220F

8A 650V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självinriktade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. TO-220F ger isoleringsspänning klassad till 2000V RMS från alla tre terminalerna till extern kylfläns. TO-220F-serien överensstämmer med UL-standarder (Referens:E252906).

2 funktioner

● Snabb växling 

● ESD förbättrad kapacitet

● Lågt motstånd (Rdson≤1,4Ω) 

● Låg grindladdning (typ: 23,7nC) 

● Låga omvända överföringskapacitanser (typ:6,1pF) 

● 100 % enkelpuls lavinenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 Applikationer 

● Används i olika kraftomkopplingskretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet. 

● Strömbrytarkrets för elektronballast och adapter.

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
650V	1,15Ω	8A