未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET



Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

MOSFET

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
40A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 -220C 100V 40A Laite DH100P40 Specification.pdf
100A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
-10A -40V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40V -10A Laite+DH170P04V+Specification.pdf
59A 100V N-kanavainen lisätila teho MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 -220C 100V 59A Laite 60N10B76 Specification(1).pdf
180A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 -220C 80V 180A Laite DH029N08 Specification.pdf
100A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A -220C 68V 100A Laitteen DH3205A tekniset tiedot.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 -220C 98V 120A Laite DHS045N98 Specification-Rev.1.0.pdf
50A 650V pysähdyseristetty kaksinapainen porttitransistori G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
105A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 -220C 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
180A 68V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
150A 150V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
100A 70V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70V 100A Donghai_DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
145A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Laite DH028N03 Specification.pdf
4A 600V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
N-kanavainen laajennustilan teho MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
5A 800 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
85A 150V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A Laitteen DHS110N15D Specification.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82A Donghai_DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
81A 80V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 -220C 80V 81A Laite DH060N08 Specification.pdf
40V/4.0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40V 66A Donghai_DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com