Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Koti » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS » 18A 200V N-kanavainen lisälaitetila Virta MOSFET D18N20

Ladataan

Jakaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjan jakamispainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

18A 200V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET D18N20

18A 200V N-kanavainen Enhancement Mode Power MOSFET
Saatavuus:
Määrä:
  • D18N20

  • LXDH

18A 200V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET


1 Kuvaus

Tämä N-kanavainen parannettu vdmosfets on saatu itsekohdistetun tasomaisen tekniikan avulla, joka vähentää johtavuushäviöitä, parantaa kytkentäsuorituskykyä ja lisää lumivyöryenergiaa.Joka on RoHS-standardin mukainen. 


2 Ominaisuudet 

● Nopea vaihto 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS -testi 


3 Sovellukset 

● Tehokas hakkuriteholähteet. 

● Sovittimen ja laturin virtakytkin. 

● UPS 

● Invertteri


VDSS RDS(päällä) (TYP) ID 
200V 0,12Ω 18A



Edellinen: 
Seuraava: 

tuotekategoria

Uusimmat uutiset

  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Tilaa