ပုံ- 建议图片大小150px*50px 
 |
| အရေအတွက်- | |
|---|---|
D18N20
WXDH
18A 200V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets သည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကိုလျှော့ချရန်၊ ကူးပြောင်းခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကိုမြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည့် self-aligned planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိထားပါသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● အမြန်ပြောင်းခြင်း။
● ခုခံမှုနည်းသည်။
● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ
● ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းနိုင်စွမ်းနည်းပါးသည်။
● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ခလုတ်မုဒ် ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ။
● အဒက်တာနှင့် အားသွင်းကိရိယာ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။
● UPS
● အင်ဗာတာ
| VDSS | RDS(ဖွင့်) (TYP) | အမှတ်သညာ |
| 200V | 0.12Ω | 18A |
18A 200V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets သည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကိုလျှော့ချရန်၊ ကူးပြောင်းခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကိုမြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည့် self-aligned planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိထားပါသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● အမြန်ပြောင်းခြင်း။
● ခုခံမှုနည်းသည်။
● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ
● ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းနိုင်စွမ်းနည်းပါးသည်။
● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ခလုတ်မုဒ် ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ။
● အဒက်တာနှင့် အားသွင်းကိရိယာ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။
● UPS
● အင်ဗာတာ
| VDSS | RDS(ဖွင့်) (TYP) | အမှတ်သညာ |
| 200V | 0.12Ω | 18A |
