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| Cantidad: | |
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D18N20
WXDH
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 18A y 200 V
1. Descripción
Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Cambio rápido
● Baja resistencia
● Cargo de puerta bajo
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia.
● Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador.
● SAI
● Inversor
| VDSS | RDS (activado) (TIPO) | IDENTIFICACIÓN |
| 200V | 0,12Ω | 18A |
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 18A y 200 V
1. Descripción
Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Cambio rápido
● Baja resistencia
● Cargo de puerta bajo
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia.
● Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador.
● SAI
● Inversor
| VDSS | RDS (activado) (TIPO) | IDENTIFICACIÓN |
| 200V | 0,12Ω | 18A |
