Nom : 建议图片大小150px*50px 
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| Quantité : | |
|---|---|
D18N20
WXDH
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 18 A 200 V
1 Descriptif
Ces vdmosfets améliorés à canal N sont obtenus grâce à la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche.Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible résistance
● Faible charge de porte
● Faibles capacités de transfert inverse
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test 100 % ΔVDS
3 candidatures
● Alimentations à découpage à haut rendement.
● Circuit de l'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur.
● UPS
● Onduleur
| VDSS | RDS (activé) (TYP) | IDENTIFIANT |
| 200V | 0,12Ω | 18A |
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 18 A 200 V
1 Descriptif
Ces vdmosfets améliorés à canal N sont obtenus grâce à la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche.Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible résistance
● Faible charge de porte
● Faibles capacités de transfert inverse
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test 100 % ΔVDS
3 candidatures
● Alimentations à découpage à haut rendement.
● Circuit de l'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur.
● UPS
● Onduleur
| VDSS | RDS (activé) (TYP) | IDENTIFIANT |
| 200V | 0,12Ω | 18A |
