注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Кількість: | |
|---|---|
D18N20
WXDH
18A 200V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
Цей N-канальний покращений vdmosfet, отриманий за самовирівняною планарною технологією, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини.Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Низький опір
● Низький заряд затвора
● Низькі ємності зворотного перенесення
● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● Високоефективні імпульсні джерела живлення.
● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.
● ДБЖ
● Інвертор
| VDSS | RDS (увімкнено) (TYP) | ID |
| 200В | 0,12 Ом | 18А |
18A 200V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
Цей N-канальний покращений vdmosfet, отриманий за самовирівняною планарною технологією, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини.Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Низький опір
● Низький заряд затвора
● Низькі ємності зворотного перенесення
● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● Високоефективні імпульсні джерела живлення.
● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.
● ДБЖ
● Інвертор
| VDSS | RDS (увімкнено) (TYP) | ID |
| 200В | 0,12 Ом | 18А |
