Nome: 建议图片大小150px*50px 
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| Quantidade: | |
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D18N20
WXDH
18A 200V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência
1 Descrição
Este vdmosfets aprimorado de canal N é obtido pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche.O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Troca rápida
● Baixa resistência
● Taxa de portão baixa
● Baixas capacitâncias de transferência reversa
● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● Fontes de alimentação comutadas de alta eficiência.
● Circuito do interruptor de alimentação do adaptador e do carregador.
● UPS
● Inversor
| VDSS | RDS(ligado) (TYP) | EU IA |
| 200 V | 0,12Ω | 18A |
18A 200V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência
1 Descrição
Este vdmosfets aprimorado de canal N é obtido pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche.O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Troca rápida
● Baixa resistência
● Taxa de portão baixa
● Baixas capacitâncias de transferência reversa
● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● Fontes de alimentação comutadas de alta eficiência.
● Circuito do interruptor de alimentação do adaptador e do carregador.
● UPS
● Inversor
| VDSS | RDS(ligado) (TYP) | EU IA |
| 200 V | 0,12Ω | 18A |
