注: 建议图片大小150 ፒክስል*50 ፒክስል 
 |
| ፡ ብዛት | |
|---|---|
D18N20
WXDH
18A 200V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET
1 መግለጫ
ይህ ኤን-ቻናል የተሻሻለ vdmosfets፣ በራሱ በራሱ በሚስማማው የፕላን ቴክኖሎጂ የተገኘ ሲሆን ይህም የማስተላለፊያ መጥፋትን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የጎርፍ አደጋን ይጨምራል።የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል።
2 ባህሪያት
● ፈጣን መቀያየር
● ዝቅተኛ የመቋቋም ችሎታ
● ዝቅተኛ የበር ክፍያ
● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ ማስተላለፊያ አቅም
● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ
● 100% ΔVDS ፈተና
3 መተግበሪያዎች
● ከፍተኛ የውጤታማነት መቀየሪያ ሁነታ የኃይል አቅርቦቶች.
● አስማሚ እና ቻርጅ ያለውን ኃይል መቀየሪያ የወረዳ.
● UPS
● ኢንቮርተር
| ቪዲኤስኤስ | RDS(በርቷል) (TYP) | መታወቂያ |
| 200 ቪ | 0.12Ω | 18A |
18A 200V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET
1 መግለጫ
ይህ ኤን-ቻናል የተሻሻለ vdmosfets፣ በራሱ በራሱ በሚስማማው የፕላን ቴክኖሎጂ የተገኘ ሲሆን ይህም የማስተላለፊያ መጥፋትን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የጎርፍ አደጋን ይጨምራል።የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል።
2 ባህሪያት
● ፈጣን መቀያየር
● ዝቅተኛ የመቋቋም ችሎታ
● ዝቅተኛ የበር ክፍያ
● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ ማስተላለፊያ አቅም
● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ
● 100% ΔVDS ፈተና
3 መተግበሪያዎች
● ከፍተኛ የውጤታማነት መቀየሪያ ሁነታ የኃይል አቅርቦቶች.
● አስማሚ እና ቻርጅ ያለውን ኃይል መቀየሪያ የወረዳ.
● UPS
● ኢንቮርተር
| ቪዲኤስኤስ | RDS(በርቷል) (TYP) | መታወቂያ |
| 200 ቪ | 0.12Ω | 18A |
