Größe: 150 x 50 Pixel 
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| Menge: | |
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D18N20
WXDH
18 A 200 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Schnelles Umschalten
● Geringer Widerstand
● Niedrige Gate-Ladung
● Geringe Rückübertragungskapazitäten
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Hocheffiziente Schaltnetzteile.
● Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät.
● USV
● Wechselrichter
| VDSS | RDS(ein) (TYP) | AUSWEIS |
| 200V | 0,12 Ω | 18A |
18 A 200 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Schnelles Umschalten
● Geringer Widerstand
● Niedrige Gate-Ladung
● Geringe Rückübertragungskapazitäten
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Hocheffiziente Schaltnetzteile.
● Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät.
● USV
● Wechselrichter
| VDSS | RDS(ein) (TYP) | AUSWEIS |
| 200V | 0,12 Ω | 18A |
