Տարբերակ՝ 建议图片大小150px*50px 
 |
| Քանակ. | |
|---|---|
D18N20
WXDH
18A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման կատարումը և բարձրացնում ավալանշի էներգիան:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Արագ միացում
● Ցածր դիմադրություն
● Դարպասի ցածր լիցքավորում
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ
● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● Բարձր արդյունավետության անջատիչ ռեժիմի սնուցման աղբյուրներ:
● Ադապտերի և լիցքավորիչի հոսանքի անջատիչի միացում:
● UPS
● Inverter
| VDSS | RDS (միացված) (TYP) | ID |
| 200 Վ | 0,12 Ω | 18Ա |
18A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման կատարումը և բարձրացնում ավալանշի էներգիան:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Արագ միացում
● Ցածր դիմադրություն
● Դարպասի ցածր լիցքավորում
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ
● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● Բարձր արդյունավետության անջատիչ ռեժիմի սնուցման աղբյուրներ:
● Ադապտերի և լիցքավորիչի հոսանքի անջատիչի միացում:
● UPS
● Inverter
| VDSS | RDS (միացված) (TYP) | ID |
| 200 Վ | 0.12 Ω | 18Ա |
