注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Adet: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4.5A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknoloji ile elde edilir.RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı Geçiş
● Geliştirilmiş ESD Yeteneği
● Düşük AÇIK Direnç (Rdson≤2,8Ω)
● Düşük Geçit Şarjı (Tipik Veriler: 14,5nC)
● Düşük Ters Transfer Kapasiteleri (Tipik:3,5pF)
● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi
● %100 ΔVDS Testi
3 Uygulama
● sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.
● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi.
| VDSS | RDS(açık)(TİP) | İD |
| 650V | 2,4Ω | 4.5A |
4.5A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknoloji ile elde edilir.RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı Geçiş
● Geliştirilmiş ESD Yeteneği
● Düşük AÇIK Direnç (Rdson≤2,8Ω)
● Düşük Geçit Şarjı (Tipik Veriler: 14,5nC)
● Düşük Ters Transfer Kapasiteleri (Tipik:3,5pF)
● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi
● %100 ΔVDS Testi
3 Uygulama
● sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.
● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi.
| VDSS | RDS(açık)(TİP) | İD |
| 650V | 2,4Ω | 4.5A |
