الحجم: 150px*50px الصورة 
 |
| الكمية: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4.5A 650V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET
1. الوصف
يتم الحصول على VDMOSFETs المحسنة ذات القناة N هذه من خلال تقنية المستوى الذاتي المحاذاة والتي تقلل من فقدان التوصيل وتحسن أداء التبديل وتعزز طاقة الانهيار الجليدي.والذي يتوافق مع معيار RoHS.
2 الميزات
● التبديل السريع
● تحسين القدرة على البيئة والتنمية المستدامة
● مقاومة منخفضة (Rdson ≥2.8Ω)
● انخفاض شحن البوابة (البيانات النموذجية: 14.5nC)
● سعات النقل العكسي المنخفضة (نموذجي: 3.5pF)
● اختبار طاقة الانهيار الجليدي النبضي بنسبة 100%
● اختبار ΔVDS بنسبة 100%
3 تطبيقات
● يستخدم في دوائر تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام وزيادة الكفاءة.
● دائرة تبديل الطاقة للصابورة الإلكترونية والمحول.
| VDSS | RDS (تشغيل) (TYP) | بطاقة تعريف |
| 650 فولت | 2.4 أوم | 4.5 أ |
4.5A 650V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET
1. الوصف
يتم الحصول على VDMOSFETs المحسنة ذات القناة N هذه من خلال تقنية المستوى الذاتي المحاذاة والتي تقلل من فقدان التوصيل وتحسن أداء التبديل وتعزز طاقة الانهيار الجليدي.والذي يتوافق مع معيار RoHS.
2 الميزات
● التبديل السريع
● تحسين القدرة على البيئة والتنمية المستدامة
● مقاومة منخفضة (Rdson ≥2.8Ω)
● انخفاض شحن البوابة (البيانات النموذجية: 14.5nC)
● سعات النقل العكسي المنخفضة (نموذجي: 3.5pF)
● اختبار طاقة الانهيار الجليدي النبضي بنسبة 100%
● اختبار ΔVDS بنسبة 100%
3 تطبيقات
● يستخدم في دوائر تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام وزيادة الكفاءة.
● دائرة تبديل الطاقة للصابورة الإلكترونية والمحول.
| VDSS | RDS (تشغيل) (TYP) | بطاقة تعريف |
| 650 فولت | 2.4 أوم | 4.5 أ |
