注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| পরিমাণ: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4.5A 650V N-চ্যানেল এনহ্যান্সমেন্ট মোড পাওয়ার MOSFET
1 বর্ণনা
এই এন-চ্যানেল এনহ্যান্সড VDMOSFETs, স্ব-সংযুক্ত প্ল্যানার প্রযুক্তি দ্বারা প্রাপ্ত হয় যা পরিবাহী ক্ষতি কমায়, সুইচিং কর্মক্ষমতা উন্নত করে এবং তুষারপাত শক্তি বাড়ায়।যা RoHS মান মেনে চলে।
2 বৈশিষ্ট্য
● দ্রুত স্যুইচিং
● ESD উন্নত ক্ষমতা
● লো অন রেজিস্ট্যান্স (Rdson≤2.8Ω)
● কম গেট চার্জ (সাধারণ ডেটা: 14.5nC)
● কম রিভার্স ট্রান্সফার ক্যাপাসিটেন্স (সাধারণ:3.5pF)
● 100% একক পালস অ্যাভালাঞ্চ এনার্জি টেস্ট
● 100% ΔVDS পরীক্ষা
3 অ্যাপ্লিকেশন
● সিস্টেম ক্ষুদ্রকরণ এবং উচ্চতর দক্ষতার জন্য বিভিন্ন পাওয়ার সুইচিং সার্কিটে ব্যবহৃত হয়।
● ইলেক্ট্রন ব্যালাস্ট এবং অ্যাডাপ্টরের পাওয়ার সুইচ সার্কিট।
| ভিডিএসএস | RDS(চালু)(TYP) | আইডি |
| 650V | 2.4Ω | 4.5A |
4.5A 650V N-চ্যানেল এনহ্যান্সমেন্ট মোড পাওয়ার MOSFET
1 বর্ণনা
এই এন-চ্যানেল এনহ্যান্সড VDMOSFETs, স্ব-সংযুক্ত প্ল্যানার প্রযুক্তি দ্বারা প্রাপ্ত হয় যা পরিবাহী ক্ষতি কমায়, সুইচিং কর্মক্ষমতা উন্নত করে এবং তুষারপাত শক্তি বাড়ায়।যা RoHS মান মেনে চলে।
2 বৈশিষ্ট্য
● দ্রুত স্যুইচিং
● ESD উন্নত ক্ষমতা
● লো অন রেজিস্ট্যান্স (Rdson≤2.8Ω)
● কম গেট চার্জ (সাধারণ ডেটা: 14.5nC)
● কম রিভার্স ট্রান্সফার ক্যাপাসিটেন্স (সাধারণ:3.5pF)
● 100% একক পালস অ্যাভালাঞ্চ এনার্জি টেস্ট
● 100% ΔVDS পরীক্ষা
3 অ্যাপ্লিকেশন
● সিস্টেম ক্ষুদ্রকরণ এবং উচ্চতর দক্ষতার জন্য বিভিন্ন পাওয়ার সুইচিং সার্কিটে ব্যবহৃত হয়।
● ইলেক্ট্রন ব্যালাস্ট এবং অ্যাডাপ্টরের পাওয়ার সুইচ সার্কিট।
| ভিডিএসএস | RDS(চালু)(TYP) | আইডি |
| 650V | 2.4Ω | 4.5A |
