Type: foto's van foto's 150px*50px 
 |
| Aantal: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4,5A 650V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET
1 Beschrijving
Deze N-kanaal verbeterde VDMOSFET's worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie verbetert.Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
2 Kenmerken
● Snel schakelen
● ESD Verbeterde mogelijkheden
● Lage AAN-weerstand (Rdson≤2.8Ω)
● Lage poortlading (typische gegevens: 14,5 nC)
● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten (typisch: 3,5 pF)
● 100% lawine-energietest met enkele puls
● 100% AVDS-test
3 toepassingen
● gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.
● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.
| VDSS | RDS(aan)(TYP) | ID kaart |
| 650V | 2,4 Ω | 4,5A |
4,5A 650V N-kanaal Enhancement Mode Power-MOSFET
1 Beschrijving
Deze N-kanaal verbeterde VDMOSFET's worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie verbetert.Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
2 Kenmerken
● Snel schakelen
● ESD Verbeterde mogelijkheden
● Lage AAN-weerstand (Rdson≤2.8Ω)
● Lage poortlading (typische gegevens: 14,5 nC)
● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten (typisch: 3,5 pF)
● 100% lawine-energietest met enkele puls
● 100% AVDS-test
3 toepassingen
● gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.
● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.
| VDSS | RDS(aan)(TYP) | ID kaart |
| 650V | 2,4 Ω | 4,5A |
