注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Cantitate: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4.5A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Descriere
Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă.Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.
2 Caracteristici
● Comutare rapidă
● Capacitate îmbunătățită ESD
● Rezistență scăzută la ON (Rdson≤2,8Ω)
● Încărcare scăzută de poartă (date tipice: 14,5 nC)
● Capacitate scăzute de transfer invers (tipic: 3,5 pF)
● Test de energie avalanșă cu un singur impuls 100%.
● Test ΔVDS 100%.
3 Aplicații
● utilizat în diferite circuite de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare.
● Circuitul comutatorului de alimentare al balastului electronic și al adaptorului.
| VDSS | RDS(activat)(TYP) | ID |
| 650V | 2,4Ω | 4,5A |
4.5A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Descriere
Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă.Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.
2 Caracteristici
● Comutare rapidă
● Capacitate îmbunătățită ESD
● Rezistență scăzută la ON (Rdson≤2,8Ω)
● Încărcare scăzută de poartă (date tipice: 14,5 nC)
● Capacitate scăzute de transfer invers (tipic: 3,5 pF)
● Test de energie avalanșă cu un singur impuls 100%.
● Test ΔVDS 100%.
3 Aplicații
● utilizat în diferite circuite de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare.
● Circuitul comutatorului de alimentare al balastului electronic și al adaptorului.
| VDSS | RDS(activat)(TYP) | ID |
| 650V | 2,4Ω | 4,5A |
