ຮູບພາບ: 建议图片大小150px*50px 
 |
| ປະລິມານ: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C/E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4.5A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 ຄຳອະທິບາຍ
ເຫຼົ່ານີ້ N-channel Enhanced VDMOSFETs, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche.ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
● ການປ່ຽນໄວ
● ESD ປັບປຸງຄວາມສາມາດ
● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤2.8Ω)
● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ (ຂໍ້ມູນປົກກະຕິ: 14.5nC)
● ຄວາມອາດສາມາດການໂອນເງິນປີ້ນກັບຕ່ໍາ (ປົກກະຕິ: 3.5pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS ການທົດສອບ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆ ສໍາລັບການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ.
● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງ ballast ເອເລັກໂຕຣນິກ ແລະອະແດບເຕີ.
| VDSS | RDS(ເປີດ)(TYP) | ID |
| 650V | 2.4Ω | 4.5A |
4.5A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 ຄຳອະທິບາຍ
ເຫຼົ່ານີ້ N-channel Enhanced VDMOSFETs, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche.ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
● ການປ່ຽນໄວ
● ESD ປັບປຸງຄວາມສາມາດ
● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤2.8Ω)
● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ (ຂໍ້ມູນປົກກະຕິ: 14.5nC)
● ຄວາມອາດສາມາດການໂອນເງິນປີ້ນກັບຕ່ໍາ (ປົກກະຕິ: 3.5pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS ການທົດສອບ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆ ສໍາລັບການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ.
● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງ ballast ເອເລັກໂຕຣນິກ ແລະອະແດບເຕີ.
| VDSS | RDS(ເປີດ)(TYP) | ID |
| 650V | 2.4Ω | 4.5A |
