5N65C/F5N65C/I5N65C/E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4.5A 650V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET
1 説明
これらの N チャネル エンハンスド VDMOSFET は、導通損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。RoHS規格に準拠しています。
2 特徴
●高速スイッチング
● ESD 能力の向上
● 低オン抵抗(Rdson≦2.8Ω)
● 低いゲート電荷(標準データ:14.5nC)
● 低い逆転送容量(標準:3.5pF)
● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験
● 100% ΔVDS テスト
3 アプリケーション
●各種電源スイッチング回路に使用され、システムの小型化、高効率化を実現します。
●電子安定器とアダプターの電源スイッチ回路。
VDSS | RDS(オン)(TYP) | ID |
650V | 2.4Ω | 4.5A |
4.5A 650V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET
1 説明
これらの N チャネル エンハンスド VDMOSFET は、導通損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。RoHS規格に準拠しています。
2 特徴
●高速スイッチング
● ESD 能力の向上
● 低オン抵抗(Rdson≦2.8Ω)
● 低いゲート電荷(標準データ:14.5nC)
● 低い逆転送容量(標準:3.5pF)
● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験
● 100% ΔVDS テスト
3 アプリケーション
●各種電源スイッチング回路に使用され、システムの小型化、高効率化を実現します。
●電子安定器とアダプターの電源スイッチ回路。
VDSS | RDS(オン)(TYP) | ID |
650V | 2.4Ω | 4.5A |
江蘇東海半導体有限公司は、2004 年 12 月に江蘇省無錫市新呉区朔芳中通東路 88 号に設立されました。面積は15000平方メートルです。登録資本金は8,150万元です。年間5億電力の生産ラインを持っています。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。