注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Antal: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4,5A 650V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanal Enhanced VDMOSFET'er er opnået af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer switching ydeevne og forbedrer lavineenergien.Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Hurtigt skift
● ESD-forbedret kapacitet
● Lav ON-modstand (Rdson≤2,8Ω)
● Lav portopladning (typiske data: 14,5 nC)
● Lave omvendte overførselskapacitanser (typisk: 3,5 pF)
● 100 % enkeltpuls lavineenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Ansøgninger
● bruges i forskellige strømskiftekredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet.
● Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.
| VDSS | RDS(til)(TYP) | ID |
| 650V | 2,4Ω | 4,5A |
4,5A 650V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanal Enhanced VDMOSFET'er er opnået af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer switching ydeevne og forbedrer lavineenergien.Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Hurtigt skift
● ESD-forbedret kapacitet
● Lav ON-modstand (Rdson≤2,8Ω)
● Lav portopladning (typiske data: 14,5 nC)
● Lave omvendte overførselskapacitanser (typisk: 3,5 pF)
● 100 % enkeltpuls lavineenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Ansøgninger
● bruges i forskellige strømskiftekredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet.
● Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.
| VDSS | RDS(til)(TYP) | ID |
| 650V | 2,4Ω | 4,5A |
