注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| כמות: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4.5A 650V מצב שיפור N-channel Power MOSFET
1 תיאור
VDMOSFETs משופרים N-channel אלה, מתקבלים על ידי הטכנולוגיה המישורית המישורית העצמית אשר מפחיתה את אובדן ההולכה, משפרת את ביצועי המיתוג ומשפרת את אנרגיית המפולת.מה שמתאים לתקן RoHS.
2 תכונות
● מעבר מהיר
● יכולת משופרת של ESD
● התנגדות ON נמוכה (Rdson≤2.8Ω)
● טעינת שער נמוך (נתונים טיפוסיים: 14.5nC)
● קיבולי העברה הפוכים נמוכים (אופייני: 3.5pF)
● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית
● 100% בדיקת ΔVDS
3 יישומים
● משמש במעגלי מיתוג מתח שונים עבור מזעור מערכת ויעילות גבוהה יותר.
● מעגל מתג מתח של נטל אלקטרוני ומתאם.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | תְעוּדַת זֶהוּת |
| 650V | 2.4Ω | 4.5A |
4.5A 650V מצב שיפור N-channel Power MOSFET
1 תיאור
VDMOSFETs משופרים N-channel אלה, מתקבלים על ידי הטכנולוגיה המישורית המישורית העצמית אשר מפחיתה את אובדן ההולכה, משפרת את ביצועי המיתוג ומשפרת את אנרגיית המפולת.מה שמתאים לתקן RoHS.
2 תכונות
● מעבר מהיר
● יכולת משופרת של ESD
● התנגדות ON נמוכה (Rdson≤2.8Ω)
● טעינת שער נמוך (נתונים טיפוסיים: 14.5nC)
● קיבולי העברה הפוכים נמוכים (אופייני: 3.5pF)
● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית
● 100% בדיקת ΔVDS
3 יישומים
● משמש במעגלי מיתוג מתח שונים עבור מזעור מערכת ויעילות גבוהה יותר.
● מעגל מתג מתח של נטל אלקטרוני ומתאם.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | תְעוּדַת זֶהוּת |
| 650V | 2.4Ω | 4.5A |
