Figura: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Sasia: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4.5A 650V 650 V Modaliteti i Përmirësimit të Fuqisë MOSFET
1 Përshkrimi
Këto VDMOSFET të përmirësuara me kanal N, përftohen nga teknologjia planare e vetë-drejtuar, e cila redukton humbjen e përcjelljes, përmirëson performancën e ndërrimit dhe rrit energjinë e ortekëve.Që përputhet me standardin RoHS.
2 Karakteristikat
● Ndërrimi i shpejtë
● Aftësia e përmirësuar ESD
● Rezistencë e ulët ON (Rdson≤2,8Ω)
● Ngarkesa e ulët e portës (Të dhënat tipike: 14,5 nC)
● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (tipike: 3,5 pF)
● Testi i Energjisë së Ortekut 100% me puls të vetëm
● Test 100% ΔVDS
3 Aplikacionet
● përdoret në qark të ndryshëm komutues të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitet më të lartë.
● Qarku i ndërprerësit të rrymës së çakëllit elektronik dhe përshtatësit.
| VDSS | RDS(aktiv) (TYP) | ID |
| 650 V | 2.4Ω | 4.5A |
4.5A 650V 650 V Modaliteti i Përmirësimit të Fuqisë MOSFET
1 Përshkrimi
Këto VDMOSFET të përmirësuara me kanal N, përftohen nga teknologjia planare e vetë-drejtuar e cila redukton humbjen e përcjelljes, përmirëson performancën e ndërrimit dhe rrit energjinë e ortekëve.Që përputhet me standardin RoHS.
2 Karakteristikat
● Ndërrimi i shpejtë
● Aftësia e përmirësuar ESD
● Rezistencë e ulët ON (Rdson≤2,8Ω)
● Ngarkesë e ulët e portës (Të dhënat tipike: 14,5 nC)
● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (tipike: 3,5 pF)
● Testi i Energjisë së Ortekut 100% me puls të vetëm
● Test 100% ΔVDS
3 Aplikacionet
● përdoret në qark të ndryshëm komutues të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitet më të lartë.
● Qarku i ndërprerësit të rrymës së çakëllit elektronik dhe përshtatësit.
| VDSS | RDS(aktiv) (TYP) | ID |
| 650 V | 2.4Ω | 4.5A |
