Размер: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Количество: | |
|---|---|
5Н65К/Ф5Н65К/И5Н65К/Э5Н65К/Б5Н65К/Д5Н65К
ШХДХ
4,5 А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFET созданы с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает лавинную энергию.Что соответствует стандарту RoHS.
2 особенности
● Быстрое переключение
● Улучшенные возможности ESD
● Низкое сопротивление включения (Rdson≤2,8 Ом).
● Низкий заряд затвора (типовые данные: 14,5 нКл).
● Низкая емкость обратного переноса (типично: 3,5 пФ).
● 100% одноимпульсное испытание лавинной энергии.
● 100 % ΔVDS-тест.
3 приложения
● используется в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности.
● Схема выключателя питания электронного балласта и адаптера.
| ВДСС | RDS(вкл.)(ТИП) | ИДЕНТИФИКАТОР |
| 650В | 2,4 Ом | 4,5 А |
4,5 А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFET созданы с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает лавинную энергию.Что соответствует стандарту RoHS.
2 особенности
● Быстрое переключение
● Улучшенные возможности ESD
● Низкое сопротивление включения (Rdson≤2,8 Ом).
● Низкий заряд затвора (типовые данные: 14,5 нКл).
● Низкая емкость обратного переноса (типично: 3,5 пФ).
● 100% одноимпульсное испытание лавинной энергии.
● 100 % ΔVDS-тест.
3 приложения
● используется в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности.
● Схема выключателя питания электронного балласта и адаптера.
| ВДСС | RDS(вкл.)(ТИП) | ИДЕНТИФИКАТОР |
| 650В | 2,4 Ом | 4,5 А |
