注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Množstvo: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
Výkonový MOSFET 4,5A 650V N-channel Mode Enhancement Mode
1 Popis
Tieto N-kanálové vylepšené VDMOSFETy sa získavajú samozarovnávacou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu.Čo je v súlade s normou RoHS.
2 Vlastnosti
● Rýchle prepínanie
● Vylepšená schopnosť ESD
● Nízky odpor pri zapnutí (Rdson≤2,8Ω)
● Nízke nabitie brány (typické údaje: 14,5 nC)
● Nízke kapacity spätného prenosu (typicky: 3,5 pF)
● 100% test jednopulzovej lavínovej energie
● Test 100 % ΔVDS
3 Aplikácie
● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.
● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra.
| VDSS | RDS(zapnuté)(TYP) | ID |
| 650 V | 2,4Ω | 4,5A |
Výkonový MOSFET 4,5A 650V N-channel Mode Enhancement Mode
1 Popis
Tieto N-kanálové vylepšené VDMOSFETy sa získavajú samozarovnávacou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu.Čo je v súlade s normou RoHS.
2 Vlastnosti
● Rýchle prepínanie
● Vylepšená schopnosť ESD
● Nízky odpor pri zapnutí (Rdson≤2,8Ω)
● Nízke nabitie brány (typické údaje: 14,5 nC)
● Nízke kapacity spätného prenosu (typicky: 3,5 pF)
● 100% test jednopulzovej lavínovej energie
● Test 100 % ΔVDS
3 Aplikácie
● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.
● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra.
| VDSS | RDS(zapnuté)(TYP) | ID |
| 650 V | 2,4Ω | 4,5A |
