Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » MOSFET » 400V-1500V MOS » N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 7A 650V F7N65 TO-220F

Yükleniyor

Şurada paylaş:
facebook paylaşım butonu
twitter paylaşım butonu
hat paylaşma butonu
wechat paylaşım düğmesi
linkedin paylaşım butonu
ilgi alanı paylaşma düğmesi
whatsapp paylaşım butonu
bu paylaşım düğmesini paylaş

N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 7A 650V F7N65 TO-220F

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir .
performansını artıran ve çığ enerjisini artıran RoHS standardına uygundur.
Stok Durumu:
Adet:
  • F7N65

  • WXDH

N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 7A 650V


1 Açıklama

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir.RoHS standardına uygundur.TO-220F, üç terminalin tümünden harici soğutucuya 2000V RMS değerinde yalıtım voltajı sağlar.TO-220F serisi UL standartlarına uygundur (Dosya ref:E252906). 


2 Özellikler 

● Hızlı geçiş

● ESD'nin geliştirilmiş kapasitesi 

● Düşük direnç (Rdson≤1,4Ω) 

● Düşük geçit şarjı (Tip: 24nC) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 5,5pF) 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi


3 Uygulama 

● Sistemin minyatürleştirilmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi


VDSS  RDS(açık)(TYP) İD 
650V 1.2Ω 7A



Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • geleceğe hazırlanın
    güncellemeleri doğrudan gelen kutunuza almak için bültenimize kaydolun